
Naukowcy zapowiadają, że w przyszłości za pomocą nanodiamentów będzie można wykryć zmiany przednowotworowe
8 października 2019, 05:18Naukowcy z Moscow Engineering Physics Institute (MEPhl) analizowali interakcje nanodiamentów detonacyjnych (ang. detonation nanodiamonds, DNDs) z różnymi biomakrocząsteczkami (cząsteczkami biopolimerów). Badanie pomoże stworzyć bioczujniki o ulepszonych właściwościach optycznych. Jego wyniki ukazały się w piśmie Laser Physics Letters.

Doskonałe nanokable
10 grudnia 2009, 13:27Grupa naukowców z UCLA Henry Samueli School of Engineering and Applied Science, Purdue University i IBM-a wyhodowała krzemowo-germanowe nanokable, które mogą trafić do tranzystorów przyszłej generacji.

Falowa funkcja elektronu zrekonstruowana w laboratorium. Pozwoli udoskonalić elektronikę
10 stycznia 2022, 16:49Po raz pierwszy udało się zrekonstruować w laboratorium falową naturę elektronu, jego funkcję falową Blocha. Dokonali tego naukowcy z Uniwersytetu Kalifornijskiego w Santa Barbara (UCSB), a ich praca może znaleźć zastosowanie w projektowaniu kolejnych generacji urządzeń elektronicznych i optoelektronicznych.

Tlenek krzemu przełamie barierę prawa Moore'a?
31 sierpnia 2010, 16:28Jak długo da się utrzymać prawo Moore'a? Wytwórcy układów pamięci uważają, że nie da się zejść z wielkością elementu poniżej 10 nm, dla pamięci flash zaś 20 nm. Naukowcy z Rice University pokazali tymczasem działający układ pamięci z tlenku krzemu z elementami wielkości pięciu nanometrów.

Nanogeneratory gotowe do pracy
10 listopada 2010, 11:35Po pięciu latach badań laboratorium kierowane przez Zhong Lin Wanga z Georgia Technology Institute, poinformowało o stworzeniu nanogeneratorów zdolnych do zasilania konwencjonalnych urządzeń elektronicznych.

Idealne dopełnienie grafenu
3 kwietnia 2012, 04:45Heksagonalny azotek boru (h-BN) może być idealnym dielektrykiem w kolejnych generacjach podzespołów elektronicznych. Charakteryzuje się on bowiem bardzo równomiernym przepływem elektronów.
Chińska hybryda przyspiesza tranzystory
12 sierpnia 2013, 11:43Naukowcy z chińskiego Uniwersytetu Fudan opisali w magazynie Science technologię umożliwiającą przyspieszenie tranzystorów. Chińczycy wpadli na pomysł połączenia tranzysotrów MOSFET z tunelowymi tranzystorami polowymi (TFET). Taka hybryda ma zużywać mniej prądu, a przy tym pracować szybciej
Bioniczne rośliny z MIT-u
17 marca 2014, 12:42Naukowcy z MIT-u stawiają pierwsze kroki w dziedzinie nauki, którą nazwali „roślinną nanobioniką”. To nic innego, jak modyfikowanie roślin nanomateriałami w taki sposób, by spełniały różne zadania. Uczeni poinformowali już, że dzięki dodaniu węglowych nanorurek do chloroplastu zmusili rośliny do przechwycenia 30% światła więcej niż zwykle
Uciec przed elektrycznością
22 listopada 2007, 00:12Jak informuje firma BASF, zatrudnieni przez nią naukowcy przystąpili do prac nad unijnym projektem NewTon. Celem badaczy jest stworzenie materiałów, dzięki którym możliwe stanie się budowanie w pełni optycznych urządzeń telekomunikacyjnych. Obecnie bowiem w typowych sieciach światłowodowych transmisja danych odbywa się drogą optyczną, ale za kierowanie ruchem odpowiedzialne są węzły bazujące na urządzeniach elektronicznych.

German zamiast krzemu
11 grudnia 2014, 11:47Purdue University ma na swoim koncie ważne osiągnięcie w historii rozwoju półprzewodników. To właśnie naukowcy z tej uczelni dostarczyli w 1947 roku bardzo ważny element pierwszego tranzystora – półprzewodnik z oczyszczonego germanu. Teraz specjaliści z tej samej uczelni stworzyli pierwszy układ elektroniczny (CMOS), w którym krzem zastąpiono germanem.